GaN功率放大器采用100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。
| 产品型号 | 工作频率(GHz) | 增益(dB) | P1dB(dBm) | Psat(dBm) | 供电(V) | 芯片面积(mm*mm) | 封装形式 | 详情 |
| YGPA01-3034C1 | 30 - 33.5 | 22 | - | 39 | +12V@2500mA | 4.54×3.51 | Die | 点击下载 |
| YGPA02-3743C1 | 37 - 43 | 18 | 40 | 41 | +12.0V@2700mA | 3.60×2.80 | Die | 点击下载 |
| YGPA03-0120C1 | 0.5-20 | 22 | - | 35 | +12V@700mA | - | Die | 点击下载 |
| YGPA04-0618C1 | 6-18 | 20 | - | 41 | +12.0V | - | Die | 点击下载 |
| YGPA05-1317C1 | 13 - 17 | 30 | - | 40 | +12.0V | - | Die | 点击下载 |
| YGPA06-3337C1 | 33 - 37 | 20 | 34 | 38.5 | +12.0V@2200mA | 2.50×3.00 | Die | 点击下载 |
| YGPA07-2629C1 | 26-29 | 20 | 39 | 40 | +12.0V@4000mA | 3.50×2.50 | Die | 点击下载 |
| YGPA08-1518C1 | 15 - 18 | 22 | 38 | 40.7 | +12.0V@2000mA | 2.50×3.00 | Die | 点击下载 |
| YGPA09-4346C1 | 43 - 46 | 20 | - | 39 | +28.0V@1400mA | 3.70×3.20 | Die | 点击下载 |
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