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GaN功率放大器采用100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。

产品型号 工作频率(GHz)增益(dB)P1dB(dBm)Psat(dBm)供电(V)芯片面积(mm*mm)封装形式 详情
YGPA06-3337C1 33 - 37203438.5+12.0V@2200mA2.50×3.00DIE 点击下载
YGPA08-1518C1 15 - 18223840.7+12.0V@2000mA2.50×3.00DIE 点击下载
YGPA10-0206C1 2 - 6.218-44+28V@1.6A3.28 x 3.56DIE 点击下载
YGPA12-0713C1 7 - 1322-44+28V@1.5A3.20 x 2.80 x 0.08DIE 点击下载
YGPA13-0812C1 8 - 1214-29+28V@0.17A1.95 x 1.35 x 0.08DIE 点击下载
YGPA14-0618C1 6 - 1818-42+28V@1400mA4.10 x 3.40 x 0.10DIE 点击下载
YGPA15-0811C1 8.5 - 10.523-45+28V@2.5A3.00 x 2.80 x 0.08DIE 点击下载
YGPA16-0818C2 8 - 1819-46+28V@4.5A4.30 x 5.45 x 0.10DIE 点击下载
YGPA17-1417C1 14.2 - 16.820.5-48.5+28V@1.2A3.60 x 5.90 x 0.08DIE 点击下载
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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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