GaN功率放大器采用100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。
| 产品型号 | 工作频率(GHz) | 增益(dB) | P1dB(dBm) | Psat(dBm) | 供电(V) | 芯片面积(mm*mm) | 封装形式 | 详情 |
| YGPA06-3337C1 | 33 - 37 | 20 | 34 | 38.5 | +12.0V@2200mA | 2.50×3.00 | DIE | 点击下载 |
| YGPA08-1518C1 | 15 - 18 | 22 | 38 | 40.7 | +12.0V@2000mA | 2.50×3.00 | DIE | 点击下载 |
| YGPA10-0206C1 | 2 - 6.2 | 18 | - | 44 | +28V@1.6A | 3.28 x 3.56 | DIE | 点击下载 |
| YGPA12-0713C1 | 7 - 13 | 22 | - | 44 | +28V@1.5A | 3.20 x 2.80 x 0.08 | DIE | 点击下载 |
| YGPA13-0812C1 | 8 - 12 | 14 | - | 29 | +28V@0.17A | 1.95 x 1.35 x 0.08 | DIE | 点击下载 |
| YGPA14-0618C1 | 6 - 18 | 18 | - | 42 | +28V@1400mA | 4.10 x 3.40 x 0.10 | DIE | 点击下载 |
| YGPA15-0811C1 | 8.5 - 10.5 | 23 | - | 45 | +28V@2.5A | 3.00 x 2.80 x 0.08 | DIE | 点击下载 |
| YGPA16-0818C2 | 8 - 18 | 19 | - | 46 | +28V@4.5A | 4.30 x 5.45 x 0.10 | DIE | 点击下载 |
| YGPA17-1417C1 | 14.2 - 16.8 | 20.5 | - | 48.5 | +28V@1.2A | 3.60 x 5.90 x 0.08 | DIE | 点击下载 |
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