YGPA45-0207C1
主要特性
n 频率范围:2GHz~6.5GHz
n 功率增益:17dB
n 饱和输出功率:44dBm
n 功率附加效率:35%
n 供电:+28V@ 1.5A(静态)
n 芯片尺寸:2.90mm×3.50mm×0.08mm
描述
YGPA45-0207C1 是一款基于GaN HEMT晶体管实现的高功率放大器芯片,采用GaN功率MMIC工艺制作。工作频率范围覆盖2GHz~6.5GHz,功率增益17dB,典型饱和输出功率25W,典型功率附加效率35%,可在脉冲模式下工作。芯片通过背面通孔接地,双电源工作,典型工作电压Vd=+28V,Vg=-2.8V。
应用领域
n 微波收发组件
n 固态发射机