YGPA45-0207C1
主要特性
n 频率范围：2GHz~6.5GHz
n 功率增益：17dB
n 饱和输出功率：44dBm
n 功率附加效率：35%
n 供电：+28V@ 1.5A（静态）
n 芯片尺寸：2.90mm×3.50mm×0.08mm
描述
YGPA45-0207C1 是一款基于GaN HEMT晶体管实现的高功率放大器芯片，采用GaN功率MMIC工艺制作。工作频率范围覆盖2GHz～6.5GHz，功率增益17dB，典型饱和输出功率25W，典型功率附加效率35%，可在脉冲模式下工作。芯片通过背面通孔接地，双电源工作，典型工作电压Vd=+28V，Vg=-2.8V。
应用领域
n 微波收发组件
n 固态发射机
