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低噪声放大器

我们为全球客户提供500MHz~160GHz低噪声放大器,主要应用于民用通信、被动成像、卫星通讯和航空航天等领域。

低噪声放大器采用业界领先的工艺技术生产:

■180nm 增强/耗尽型pHEMT工艺(ED02AH)

■130nm pHEMT工艺(D01PH)——已入选欧洲宇航局欧洲首选芯片清单(EPPL)

■130nm mHEMT工艺(D01MH)——已入选欧洲宇航局欧洲首选芯片清单(EPPL)

■70nm mHEMT工艺(D007IH)


产品型号 工作频率(GHz)增益(dB)噪声系数(dB)P1dB(dBm)OIP3(dBm)供电封装形式工艺技术 详情
YLN01-0506C1 5 - 6301.11522 +3V@ 40mADIEED02AH 点击下载
YLN02-0506C1 5 - 63011522 +3V@ 40mAQFNED02AH 点击下载
YLN03-0507C1 5 - 713.20.51222 +1V@ 50mADIED007IH 点击下载
YLN04-0812C1 8 - 12331.11120 +5V@ 55mADIED01PH 点击下载
YLN05-0812C1 8 - 12321.51020 +5V@ 55mAHTCC QFND01PH 点击下载
YLN06-0812C1 8 - 12161.61729 +5V@ 82mADIED01PH 点击下载
YLN07-0713C1 7.5 - 13171.61729 +5V@ 82mAQFND01PH 点击下载
YLN08-0812C1 8 - 12301.11424 +4V@ 69mADIE 点击下载
YLN08-0812C2 8 - 1228.51.113.523 +4V@ 56mADIE 点击下载
YLN09-1315C1 13 - 15251.5817 +3.3V@ 20mADIED01PH 点击下载
YLN10-1315C1 13 - 15251.5817 +3.3V@ 20mADIED01PH 点击下载
YLN11-1824C1 18 - 24321.5 - - +3V@ 64mADIE 点击下载
YLN12-1826C1 18 - 2617.51.2 - 5 +0.8V@ 60mADIED007IH 点击下载
YLN12-1826C2 18 - 26191.37 - +1.5V@ 61mADIED007IH 点击下载
YLN13-2434C1 24 - 34241.31121 +3.5V@ 47mADIED01MH 点击下载
YLN14-2543C1 25 - 43321.51.210 +1.1V@30mADIED01MH 点击下载
YLN15-3238C1 32 - 38232.31323 +5V@ 65mADIE 点击下载
YLN16-075110C1 75 - 110232.8110 +1V@33mADIED01MH 点击下载
YLN17-1101600C1 100 - 160204.50.59 +1.4V@42mADIED01MH 点击下载
YLN18-0618C1 6 - 188.531323 +5V@ 30mADIE 点击下载
YLN19-9296C1 92 - 96253.53.513 +1.5V@30mADIE 点击下载
YLN20-0810C1 8 - 10320.8515 - +4.5V@ 200mADIE 点击下载
YLN21-2543C1 25 - 43251.58 - +1.5V@50mADIED007IH 点击下载
YLN22-0112C1 1 - 12361.512 - +1.5V@55mADIE 点击下载
YLN23-0118C1 1 - 18371.5 - - +1.5V@55mADIE 点击下载
YLN24-1218C1 12-18301.3215-106mA @+5VDieD01PH 点击下载
26条记录  每页100条  第1页/共1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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