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YGPA49-0815C1
主要特性

n  频率范围:8GHz~15GHz

n  功率增益:22dB

n  饱和输出功率:44dBm

n  功率附加效率:35%

n  供电:+28V@ 2.0A(静态)

n  芯片尺寸:3.30 mm×3.00 mm×0.08 mm


描述

YGPA49-0815C1 是一款基于GaN HEMT晶体管实现的高功率放大器芯片,采用GaN功率MMIC工艺制作。工作频率范围覆盖8.0GHz15.0GHz,功率增益22dB,典型饱和输出功率25W,典型功率附加效率35%,可在脉冲模式下工作。芯片通过背面通孔接地,双电源工作,典型工作电压Vd=+28VVg=-2.8V


应用领域

n  微波收发组件

n  固态发射机


上一条:YGPA48-0618C1
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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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