YGPA18-0811C1
主要特性
n 频率范围：8.5GHz~10.5GHz
n 功率增益：21dB
n 饱和输出功率：47dBm
n 功率附加效率：47%
n 供电：+28V@ 2.5A（静态）
n 芯片尺寸：4.00 mm×5.07 mm×0.08 mm
描述
YGPA18-0811C1 是一款基于GaN HEMT晶体管实现的高功率放大器芯片，采用GaN功率MMIC工艺制作。工作频率范围覆盖8.5GHz～10.5GHz，功率增益21dB，典型饱和输出功率50W，典型功率附加效率47%，可在脉冲和连续波模式下工作。芯片通过背面通孔接地，双电源工作，典型工作电压Vd=+28V，Vg=-2.6V。
应用领域
n 微波收发组件
n 固态发射机
