YGPA43-0006C1
主要特性
n 频率范围:0.3GHz~6.0GHz
n 功率增益:10dB
n 饱和输出功率:40dBm
n 功率附加效率:35%
n 供电:+28V@ 500mA(静态)
n 芯片尺寸:3.30 mm×2.40 mm×0.10 mm
描述
YGPA43-0006C1 是一款基于GaN HEMT晶体管实现的高功率放大器芯片,采用GaN功率MMIC工艺制作。工作频率范围覆盖0.3GHz~6GHz,功率增益大于10dB,典型饱和输出功率10W,功率附加效率大于35%,可在脉冲和连续波模式下工作。芯片通过背面通孔接地,双电源工作,典型工作电压Vd=+28V,Vg=-2.6V。
应用领域
n 微波收发组件
n 大功率固态发射机