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应用场景
电源电压Vcc
MOS功率管
TR Max/TF Max
芯片面积 (mm*mm)
功能对比
0
YPM16-2201SC1
PMOS 管驱动
*集成负电保护 *集成两路栅压驱动 *集成两路5V调制 *集成过脉宽保护 *集成泄放回路
大功率GaN功放电源调制
12V~60V
外置PMOS管可实现大功率电源调制
30ns/40ns
2.65 x 2.37
YPM02-SC1
PMOS 管驱动
*集成负电保护 *栅压驱动
GaN功放调制
10V~40V
内置
160ns/120ns
4.10 x 2.80
YPM03-SC1
PMOS 管驱动
*集成负电保护 *集成泄放回路
GaN功放调制
15V~80V
外置PMOS可实现电源调制
450ns/800ns
2.10 x 2.20