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ED02AH工艺是一款自1995年就规模商用的0.18μm pHEMT工艺,ED02AH允许在单片MMIC上同时有增强型pHEMT管和耗尽型pHEMT管,是设计、生产多功能芯片的首选工艺。其中,多功能芯片广泛应用于相控阵应用领域。

ED02AH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。

 

ED02AH工艺射频/直流特性

l两个不同开启电压Vt

——增强型:225mV

——耗尽型:-900mV

l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);

l截止频率:Ft=60GHz

l全局钝化处理

——外延电阻;

——镍铬电阻;

——MIM电容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋电感;

——空气桥;

——通孔;

——微凸台;

——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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