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D007IH工艺技术自2011年规模商用,是一款70nmmHEMT工艺;OMMIC采用该工艺制备频率从20GHz160GHz的超低噪声放大器产品。

D007IH工艺技术的产品噪声系数极低,可达2.8dB(典型值)@90GHz!适用于通信、卫星通讯、被动成像等领域。

 

D007IH工艺射频/直流特性

l业界领先的70nmmushroom结构栅极;

l高掺铟沟道(掺铟浓度达70%!);

l截止频率:Ft=300GHz

l最高频率:Fmax=450GHz

l极低噪声系数:NFmin=0.5dB@30GHz

l增益:12.5dB@30GHz

l全局钝化处理

——外延电阻;

——镍铬电阻;

——MIM电容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋电感;

——空气桥;

——通孔;

——微凸台;

——全局钝化芯片:覆盖150nm氮化硅;

——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层;

——芯片标准厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可选);

——厚金属层可选,用于优化芯片噪声性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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