YCC03-08126C2
主要特性
n 工作频率：8 GHz到12 GHz
n 增益Tx/Rx：7.5-10dB [ATT（-3V）调节后5.5-7.5dB]
n 接收输出P-1：≥11dB
n 发射输出P-1：≥11dB
n 移相范围：0-354.375°，步进5.625°
n 移相精度：<3.5°(RMS)
n 移相幅度波动：±1.2dB
n 衰减范围：0-31.5dB，步进0.5dB
n 衰减精度：<0.5dB(RMS)
n 衰减相位波动：±5[0-24dB]，±10[24-31.5dB]
n 工作电压：VD1/VD2/VD3/VDN=3.3V，
VSN/VSS=-3V
n 控制方式：串口控制
n 工作电流：Is≤30（VS）Id≤90（VD）
n 
芯片尺寸：3.80mm x4.70mm
描述
YCC03-08126C2是一款工作于 X 波段的高性能GaAsMMICT/R 6 位Core Chip，具有3个射频端口，包括3 个开关。该芯片包括了一个6 位移相器、一个6 位衰减器和多个开关。相移范围为360°，增益调节范围为 31.5dB。其工作频率为8GHz到12GHz，主要用于雷达、通信和仪器仪表应用。
片上逻辑控制串行输入寄存器，减少了焊盘数量，并且简化了设备接口。
该芯片采用PHEMT工艺制造。
应用领域
n 雷达
n 通信
n 仪表
