◼ 工作电源电压:3.3V
◼ 工作频率范围:32GHz-38GHz
◼ 6位衰减控制位,步进0.5dB
◼ 6位移相控制位,步进5.6°
◼ 接收增益:24dB@35GHz(RFn端口到COM端
口)
◼ 发射线性增益:28dB@35GHz(COM端口到
RFn端口)
◼ 收发带内增益平坦度:<2dB
◼ 端口驻波比VSWR:<1.9
◼ 接收噪声系数NF:<5.6dB
◼ 接收输入P-1dB:>-31dBm
◼ 发射输出P-1dB:>19dBm
◼ 发射输出Psat:>21dBm
◼ RMS相移误差:<3.5°
◼ 移相时幅度一致性:<±0.8dB
◼ 衰减精度:<0.2+5%Ai
◼ RMS衰减误差:<0.9dB
◼ 衰减附加相移:<±8°
◼ 收发切换时间:<100ns
◼ 单通道工作电流:64mA/140(360)mA/27mA
@接收/静态(21dBm饱和)发射/负载
◼ 裸芯尺寸:4.875mm×4.471mm
◼ 工艺:SiGe BiCMOS
该芯片是一款Ka波段四通道多功能芯片。3.3V电源供电,工作频率范围32GHz~38GHz,芯片内部集成低噪声放大器,功率放大器,射频前端开关,6位数控衰减器,6位数控移相器,功分器,波束控制等模块,可提供最大31.5dB的衰减范围,步进0.5dB,以及360°的移相范围,步进5.6°。芯片裸片尺寸约为4.875mm × 4.471mm。