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YLN25-0204C1
主要特性

◼工作频段:2.7GHz to 3.5GHz

◼射频增益:28.6~29.4dB (低噪声模式) /18.9~20.1dB (大动态模式)

◼输出 P 1dB :11.8~14dBm (低噪声模式) /18.8~19.3dBm (大动态模式)

◼噪声系数:0.8~0.95dB (低噪声模式) /1.35~1.45dB (大动态模式)

◼供电方式: 60mA(单路)/120mA(两路)@+5V(低噪声模式)

                      73mA(单路)/146mA(两路)@+5V(大动态模式)

◼输入/出匹配阻抗:50Ω

◼芯片尺寸:2.00mm x 1.90mm




描述

YLN25-0204C1是一款高性能砷化镓双模双通道低噪放MMIC 芯片 ,工作频率为:2.7-3.5GHz。YLN25-0204C1 通带内低噪声模式的噪声系数为0.8~0.95dB,射频增益是 28.6~29.4dB;大动态模式的射频增益是 18.9~20.1dB,P1dB 是 18.8~19.3dBm;广泛应用于雷达、电信通讯、仪器仪表等领域。该芯片采用砷化镓 pHEMT 工艺制造;采用金线键合焊盘、背面金属化、氮化硅钝化层,芯片可靠性满足航天级应用。



应用领域

n  通讯


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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