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D01PH工艺技术自1999年规模商用,是一款135nm的耗尽型pHEMT工艺;OMMIC采用该工艺来制备1GHz50GHz的超低噪声放大器和中功率放大器产品。

优异的噪声系数:NF0.6dB@2GHzNF1.5dB@10GHz

D01PH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。


D01PH工艺射频/直流特性

l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);

l开启电压:Vt=-0.9V

l截止频率:Ft=100GHz

l最高频率:Fmax=180GHz

l噪声系数:NFmin=1.1dB@30GHz

l1dB压缩点功率:P1dB/mm40GHz=640mW/mm

l全局钝化处理

——外延电阻;

——镍铬电阻;

——MIM电容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋电感;

——空气桥;

——通孔;

——微凸台;

——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层;

——芯片标准厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可选);

——厚金属层可选,用于优化芯片噪声性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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