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DH15IB InP HBT工艺技术是一款发射极长为1.5μm的耗尽型HBT工艺;该工艺当前推出试用版,适用于C波段到V波段的VCO和混频器设计与生产。

DH15IB InP HBT工艺产品:

高速接口芯片;

TIA芯片;

驱动芯片;

极低相噪振荡芯片;

混频器。

 

DH15IB工艺射频/直流特性

击穿电压:Vce=6V

截止频率:Ft=180GHz

最高频率:Fmax=220GHz


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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