YLN08-0812C2
主要特性
n 工作频段: 8 GHz to 12 GHz
n 噪声系数 < 1.2dB
n 增益: 28dB
n 增益平坦度: +/-0.5dB
n 输出 P1dB>13dBm
n 输入驻波<1.5dB
n 输出驻波<1.5dB
n 电源：59mA@4V
n 芯片尺寸2.0mm x 1.1mm
描述
YLN08-0812C2 是一款高性能 GaAs 低噪放 MMIC芯片 ，工作与X波段。
YLN08-0812C2 拥有 1.2 dB的超低噪声系数和最小28 dB 的增益.，该芯片能提供优于 15 dB的输入输出回波损耗。它能用于雷达、电信通讯、仪器仪表等领域。
该芯片采用PHEMT工艺制造。
应用领域
n 雷达
n 电信通讯
n 仪器仪表
